| 型號 | 最大反向峰值電壓 | IF(135℃)允許最大正向平均電流 | IF(155℃)允許最大正向平均電流 | 電荷量 | 封裝 | PDF下載 |
| HDS120J030G3 | 1200V | 45A | Industry | 82nC | TO-247-3L |  |
相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高。第三代半導體的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍，具有更強的耐高壓、高功率能力。
碳化硅器件在具體應(yīng)用場景中表現(xiàn)出的特性是:1、耐高溫:硅基材料120°C場景需要散熱，使用SiC在175°C結(jié)溫不需要散熱，可承受600°C以上高溫環(huán)境。
碳化硅功率器件在高功率高壓領(lǐng)域有廣泛的潛在應(yīng)用，目前在600-1700V的光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用。
