大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體為綠色能源做貢獻(xiàn)
嚴(yán)格的質(zhì)量控制和檢測(cè)流程
用芯片點(diǎn)亮綠色能源
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一款30W的1A1C口PD快充，該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協(xié)議···
迎接第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)變革在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，小型化、高效化、高···
SiC MOSFET介紹及應(yīng)用在半導(dǎo)體技術(shù)迭代的浪潮中，以碳化硅（SiC）···
碳化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)碳化硅之所以能在半導(dǎo)體領(lǐng)域異軍突起，···
氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具···
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的···
IGBT
IGBT器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
在接收到您的樣品申請(qǐng)后，我們將在24小時(shí)內(nèi)聯(lián)系您。如信息真實(shí)可信并符合樣品政策，將在審核通過后的48小時(shí)內(nèi)發(fā)貨，并同步將快遞信息通過所留電話或郵箱反饋給您。如果遇到無貨或其他特殊情況，我們也會(huì)及時(shí)通知到您。 您收到樣品后，請(qǐng)盡早在應(yīng)用項(xiàng)目中進(jìn)行測(cè)試，并將使用情況通過郵箱ast@asiasemitech.com反饋給我們。
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